[VIP第1年] 指数:3
• 正性光刻胶
◦ YK-300：适用于半导体制造，具备高分辨率（线宽≤10μm）、耐高温（250℃）、耐酸碱腐蚀特性，主要用于28nm及以上制程的晶圆制造，适配UV光源（365nm/405nm）。
◦ 技术优势：采用进口树脂及光引发剂，绝缘阻抗高（>10^14Ω），满足半导体器件对绝缘性的严苛要求。
• 负性光刻胶
◦ JT-1000：负性胶，主打优异抗深蚀刻性能，分辨率达3μm，适用于功率半导体、MEMS器件制造，可承受氢氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等强腐蚀液处理。
◦ SU-3：经济型负性胶，性价比高，适用于分立器件及低端逻辑芯片，光源适应性广（248nm-436nm），曝光灵敏度≤200mJ/cm²。
2. 显示面板光刻胶
• LCD正性光刻胶YK-200：专为TFT-LCD制程设计，具备高涂布均匀性（膜厚误差±1%）、良好的基板附着力，用于彩色滤光片（CF）和阵列基板（Array）制造，支持8.5代线以上大规模生产。
• 水性感光胶JT-1200：环保型产品，VOC含量<50g/L，符合欧盟RoHS标准，适用于柔性显示基板，可制作20μm以下精细网点，主要供应京东方、TCL等面板厂商。
正性光刻胶
- 半导体分立器件制造：对于二极管、三极管等半导体分立器件，正性光刻胶可实现精细的图形化加工，满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时，正性光刻胶凭借其高分辨率和良好对比度，能精确刻画器件的结构，提高器件性能。
- 微机电系统（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度计、陀螺仪等，结构复杂且尺寸微小。正性光刻胶用于 MEMS 制造过程中的光刻步骤，可在硅片等材料上制作出高精度的微结构，确保 MEMS 器件的功能实现。
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主要应用场景
印刷电路板（PCB）：
◦ 通孔/线路加工：负性胶厚度可达20-50μm，耐碱性蚀刻液（如氯化铁、碱性氯化铜），适合制作大尺寸线路（线宽/线距≥50μm），如双面板、多层板的外层电路。
◦ 阻焊层：作为绝缘保护层，覆盖非焊盘区域，需厚胶（50-100μm）和高耐焊接温度（260℃以上），负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。
微机电系统（MEMS）：
◦ 深硅蚀刻（DRIE）：负性胶作为蚀刻掩膜，厚度可达100μm以上，耐SF₆等强腐蚀性气体，用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽比结构（深宽比＞20:1）。
◦ 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用负性胶的厚胶成型能力。
平板显示（LCD）：
◦ 彩色滤光片（CF）基板预处理：在玻璃基板上制作绝缘层或缓冲层，耐湿法蚀刻（如HF溶液），确保后续RGB色阻层的精确涂布。
功率半导体与分立器件：
◦ IGBT、MOSFET的隔离区蚀刻：负性胶用于制作较宽的隔离沟槽（宽度＞10μm），耐高浓度酸碱蚀刻，降低工艺成本。
主要原材料“卡脖子”：从树脂到光酸的依赖
树脂与光酸的技术断层
光刻胶成本中50%-60%来自树脂，而国内KrF/ArF光刻胶树脂的单体国产化率不足10%。例如，日本信越化学的KrF树脂纯度达99.999%，金属杂质含量低于1ppb，而国内企业的同类产品仍存在批次稳定性问题。光酸作为光刻胶的“心脏”，其合成需要超纯试剂和复杂纯化工艺，国内企业在纯度控制（如金属离子含量）上与日本关东化学等国际巨头存在代差。
原材料供应链的脆弱性
光刻胶所需的酚醛树脂、环烯烃共聚物（COC）等关键原料几乎全部依赖进口。日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后，国内部分晶圆厂采购量从100kg/期骤降至10-20kg/期。更严峻的是，光敏剂原料焦性没食子酸虽由中国提取，但需出口至日本加工成光刻胶光敏剂后再高价返销，形成“原料出口-技术溢价-高价进口”的恶性循环。
吉田市场定位与未来布局。
工艺流程
• 目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。
• 方法：
◦ 化学清洗（硫酸/双氧水、去离子水）；
◦ 表面处理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化处理）。
涂布（Coating）
• 方式：
◦ 旋涂：半导体/显示领域，厚度控制精确（纳米至微米级），转速500-5000rpm；
◦ 喷涂/辊涂：PCB/MEMS领域，适合大面积或厚胶（微米至百微米级，如负性胶可达100μm）。
• 关键参数：胶液黏度、涂布速度、基板温度（影响厚度均匀性）。
前烘（Soft Bake）
• 目的：挥发溶剂，固化胶膜，增强附着力和稳定性。
• 条件：
◦ 温度：60-120℃（正性胶通常更低，如90℃；负性胶可至100℃以上）；
◦ 时间：5-30分钟（根据胶厚调整，厚胶需更长时间）。
曝光（Exposure）
• 光源：
◦ 紫外光（UV）：G线（436nm）、I线（365nm）用于传统光刻（分辨率≥1μm）；
◦ 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半导体先进制程（分辨率至20nm）；
◦ 极紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性胶适用）。
• 曝光方式：
◦ 接触式/接近式：掩膜版与胶膜直接接触（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
◦ 投影式：通过物镜聚焦（半导体，分辨率高，如ArF光刻机精度达22nm）。
聚焦封装需求，吉田公司提供从光刻胶到配套材料的一站式服务。山东负性光刻胶工厂
关键工艺流程
涂布与前烘：
◦ 旋涂或喷涂负性胶，厚度可达1-100μm（远厚于正性胶），前烘温度60-90℃，去除溶剂并增强附着力。
曝光：
◦ 光源以**汞灯G线（436nm）**为主，适用于≥1μm线宽，曝光能量较高（约200-500mJ/cm²），需注意掩膜版与胶膜的贴合精度。
显影：
◦ 使用有机溶剂显影液（如二甲苯、醋酸丁酯），未曝光的未交联胶膜溶解，曝光的交联胶膜保留。
后处理：
◦ 后烘（Post-Bake）：加热（100-150℃）进一步固化交联结构，提升耐干法蚀刻或湿法腐蚀的能力。
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